无锡中晶材料科技有限公司
中晶纳米氧化铝抛光粉（镜面抛光）
我公司生产TWA 300纳米的抛光粉是做金相抛光的**材料，同时还适合不锈钢镜面抛光，钛金属抛光，铸铁抛光，铝材镜面抛光，大理石石材镜面抛光，油漆抛光，树脂抛光，PCB电路板抛光，玻璃抛光，光学玻璃，眼镜镜片抛光，树脂镜片抛光，蓝宝石抛光，LED抛光，锗抛光，锌抛光，抛光快，光亮度好，无划伤。
氧化铝抛光粉用于蓝宝石抛光比氧化硅的抛光速率快3倍左右，每小时能抛7-10um。
概要与特点：
无锡中晶材料科技有限公司为迎合市场需求，采用独特的生产工艺，利用国内外先进的生产设备，通过严谨的生产流程制作而成的纳米氧化铝抛光粉为高纯度白色粉末，是玻璃、水钻、水晶、金属、各种石材系列精抛纳米材料。该产品具有以下优越性能：
1、晶相稳定、硬度高、颗粒小且分布均匀；
2、磨削力强、抛光快、光度亮、镜面效果好；
3、研磨效率高，抛光效果好，研磨效率远远高于二氧化硅等软质磨料，表面光洁度优于白刚玉的抛光效果，切削力强、出光快、能抛出均匀而明亮的兴泽。
规格:
| 项目 | 指标 | ||
| 型 号 | TWA 0.2 | TWA 0.3 | TWA 0.5 |
| 外 观 | 白色粉末 | 白色粉末 | 白色粉末 |
| 晶 型 | a相 | α相 | α相 |
| 含 量﹪≥ | 99.99% | 99.99% | 99.99% |
| 中位粒径 D50 | 0.2um | 0.3um | 0.5um |
用途
1、人造宝石、锆石、玻璃、天然宝石、玉石、翡翠、玛瑙、等振动抛光（机器抛光、滚动抛光）、手动抛光（研磨抛光）等。
2、铝材、铜材、不锈钢、石材、玻璃、墙地砖等研磨抛光。
3、金属表面抛光。
4、抛光条、抛光浆、油漆表面、亚克力、不锈钢镜面、非铁金属、玉石，大理石、花冈岩、水晶、光学玻璃的表面抛光。
5、汽车油漆打磨抛光，手机外壳油漆抛光等。
用量
推荐用量为1～20％，使用者应根据不同体系经过试验决定*佳添加量。
包装
20公斤/每箱（内衬PE塑料袋）
注意
1.请不要浸水。
2.请不要用湿手触摸。
3.请佩戴防尘护罩、安全眼镜、防护手套。
4.请不要漏出，漏出时请即时清扫干净。
中晶微米级氧化铝抛光粉（精抛）
.【产品性能】
本公司生产的TWA-1、TWA-2、TWA-3、TWA-5、TWA-9、TWA-12、TWA15氧化铝产品，采用独特的生产工艺，利用国内外先进的生产设备，通过严谨的生产流程制作而成。该产品具有以下优越性能：
●晶相稳定、硬度高、颗粒小且分布均匀；
●磨削力强、抛光快、光度亮、镜面效果好；
●研磨效率高，抛光效果好，研磨效率远远高于二氧化硅等软质磨料，表面光洁度优于白刚
玉的抛光效果，切削力强、出光快
| 产品粒度分布 微米（µm） | |||||||
| 规格型号 | 平均粒度（D50值) | 粒度目数（＃） | 晶型 | 含量%> | 外观 | ||
| TWA1 | 1.0±0.2 | 8000＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
| TWA2 | 2.2±0.4 | 6000＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
| TWA3 | 3.1±0.4 | 4000＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
| TWA5 | 4.7±0.5 | 3000＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
| TWA9 | 6.4±0.6 | 2000＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
| TWA GF1 | 7.0±0.6 | 2200＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
| TWA12 | 8.4±o.6 | 1500＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
| TWA15 | 10.5±1.5 | 800＃ | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
【适用范围及建议】
①人造宝石、锆石、玻璃、天然宝石、玉石、翡翠、玛瑙、等振动抛光（机器抛光、滚动抛光）、手动抛光（研磨抛光）等。
②铝材、铜材、不锈钢、石材、玻璃、墙地砖等研磨抛光。
③金属表面抛光。
④抛光条、抛光浆、油漆表面、亚克力、不锈钢镜面、非铁金属、玉石，大理石、花冈岩、水晶等！
中晶微米级氧化铝抛光粉（中抛）
半导体行业：单晶硅片、压电石英晶体、化合物半导体的研抛
| 半导体领域 | ||||
| 【产品规格】 | ||||
| 产品型号 | 中值粒径D50（μm） | 晶型 | 含量%> | 标准（国标） |
| TWA 20 | 14.5±1.0 | α相 | 99.62 | #800 |
| TWA 15 | 10.2±0.8 | α相 | 99.62 | #1000 |
| TWA 12 | 9.20±0.6 | α相 | 99.62 | #1200 |
| TWA 9 | 6.40±0.5 | α相 | 99.62 | #2000 |
| TWA GF1 | 7.00±0.5 | α相 | 99.62 | #2500 |
【产品性能】 CA专用半导体研磨粉，韧性高，耐磨，不易造成划伤、生产时未添加化学助剂。同期和日本FUJIMI FO产品进行对比，研磨效率同期提高1.5倍，表面平坦度TTV有所提高，易于清洗。
【适用范围及建议】 精密研磨半导体单晶硅片、化合物半导体（砷化镓晶体，铌酸锂晶体等）。
光学玻璃、光电晶体领域
【产品规格】
| 产品型号 | 晶型 | 中值粒径D50（μm） | 标准 | 国标准 |
| TWA30 | α相 | 21.5±1.5 | #600 | W28 |
| TWA20 | α相 | 14.5±1.3 | #800 | W20 |
| TWA15 | α相 | 10.2±0.8 | #1000 | W14 |
| TWA9 | α相 | 6.4±0.6 | #2000 | W10 |
| TWA5 | α相 | 4.7±0.5.5 | #3000 | W5 |
| TWA3 | a相 | 3.1±0.4 | #4000 | W3.5 |
【性能】
TWA系列氧化铝研磨粉，其高韧性、高磨削效率，耐磨性好，同期和绿碳化硅磨料对比，其研磨效率高出1.5~2倍，且研磨加工后工件表面品质较高。
【适用范围】
专门用于光学镜片、手机玻璃镜片、树脂镜片、手表玻璃和棱镜、光学镜头等。
中晶微米级氧化铝抛光粉（粗抛）
光学玻壳领域
【产品规格】
| 产品型号 CODE | 中值粒径D50（μm） | 标准 | 国标 |
| TWA45 | 35.0±2.0 | #360 | W50 |
| TWA30 | 20.5±1.5 | #600 | W28 |
| TWA20 | 14.5±1.0 | #800 | W20 |
【特点】
① 外观呈纯白色，韧性高，不易压碎，耐磨性好。
② 形状呈六角平板状，不容易造成划伤，悬浮性好。
③ 研磨效率和传统研磨粉相比，速率高出2-3倍，且加工后产品表面平坦度好于传统磨料，并为后期抛光加工省去了不必要的麻烦。
【适用范围】
适用于显像管玻壳、光学镜片的研磨加工。特别适合大尺寸玻壳、玻屏的研磨加工。
联系：冯总 18762687182
品名：r氧化铝抛光粉, Alumina polishing powde.氧化铝抛光粉采用高纯氧化铝作为原料, 在严格粒度分布控制下, ＊小粒度能够达到0.3um。晶体呈平板状、 粒度分布范围窄、不易产生划痕、磨削力强。用途：1) 单晶硅片的研磨、抛光。2) 水晶镜片的研磨抛光。3) 手机外壳等铝合金材料及不锈钢材料的抛光。4) 不锈钢餐具及其它装饰材料的抛光。5) 等离子喷涂6)光学玻璃, 激光晶体, 光学晶体, 光学塑料, 半导体, 金属合金, 陶瓷, 等。7) 塑胶抛光8）大理石抛光、石材抛光9）汽车漆面抛光10)石英晶体研磨抛光，晶振研磨抛光
无锡中晶平板状氧化铝抛光粉和抛光液使用说明书无锡中晶材料科技有限公司，氧化铝抛光液是以微米或纳米级氧化铝为磨料，再配以湿润剂、表面活性剂、分散稳定剂和调整剂生产的一种研磨抛光材料。适用于各种精密产品及金相切片、手机壳等研磨抛光。公司开发和经营的研磨抛光材料系列均为优选的磨料，先进的制备工艺保证了高质量的颗粒呈等积形状；严格的分级工艺保证了实际尺寸与名义尺寸相一致的高比例颗粒，其粒度组成都高于国家标准的粒度范围要求。所有这些研磨抛光材料，粒度、品种齐全，以满足用户各种要求。通过工艺、设备、流程控制，保证了高纯纳米氧化铝抛光液具有以下优越性能：1、晶相稳定、硬度高、颗粒小且分布均匀，悬浮稳定性好；2、磨削力强、抛光快、光度亮、镜面效果好；3、研磨效率高，抛光效果好，研磨效率远远高于二氧化硅等软质磨料，表面光洁度优于白刚玉的抛光效果，切削力强、出光快、能抛出均匀而明亮的兴泽。4、适用范围广，抛光后容易清洗。 氧化铝抛光液和研磨材料适用于金相、岩相、复合材料的高精度研磨及抛光等表面处理：1、手机壳，陶瓷，玻璃、水晶、光学玻璃等振动抛光（机器抛光、滚动抛光）、手动抛光（研磨抛光）等。人造宝石、天然宝石、锆石、玉石、翡翠、玛瑙。2、单晶硅片等半导体、压电晶学、光学晶体、光学玻璃、光学塑料、计算机硬盘、光学镜头、单芯光纤连接器、微晶玻璃基板、3、铝材、铜材、不锈钢等金属表面研磨抛光。4、汽车油漆打磨抛光，树脂抛光等，油漆表面、亚克力、非铁金属的表面抛光。5、 划痕去除：宝石、首饰、微晶玻璃、铝板、钢板、塑料壳、压克力等划伤划痕；汽车，船舶等表面油漆出现的轻微划痕等只要涂上少许抛光液，用海绵布或者抛光垫等在其表面来回抛磨，很快就光亮如新，无一点擦痕。推荐配套使用：本公司金相抛光润滑冷却液，样品的抛光效果则更加＊＊。使用与用量：推荐用量为1～20％，使用者应根据不同体系经过试验决定＊佳添加量。◆ 以防少许沉淀，建议使用前先摇匀。◆ 使用时，以不同浓度并据不同行业的需要可用过滤清洁水加以稀释，调制不同浓度。储 存：本品需在0℃以上储存，防止结块，在0℃以下因产生不可再分散结块而失效。包 装：产品包装有：200毫升/瓶和500毫升/瓶。1 L/瓶、5 L/桶、20 L/桶
这两个概念主要出现在半导体加工过程中，*初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，**性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为**的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的**有效方法。制作步骤依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
颗粒度均匀一致，在允许的范围之内。纯度高，不含有可能引起划痕的杂质。有良好的分散性，以保证加工过程的稳定和**。化学稳定性好，不致腐蚀工件。粉体晶型机构稳定，耐磨性及流动性好。粒度大的抛光粉，磨削力越大，越适合加工硬度高的材料，反之粒度小的抛光粉适合加工偏软类的材料。所以抛光粉都有一个粒度分布范围，平均粒径(中心粒径D50)的大小只决定抛光速度的快慢，而**粒径Dmax决定抛光精度的高低。因此要达到高精度的表面抛光要求，必须控制抛光粉的粒度分布比例和范围。
定义：人造磨料的一种。三氧化二铝(Al2O3)含量在99%以上，并含有少量氧化铁、氧化硅等成分，呈白色。产品粒度按国际标准以及各国标准生产，可按用户要求粒度进行加工。通用粒度号为 F4~F220，其化学成份视粒度大小而不同。突出的特点是晶体尺寸小耐冲击，如果用自磨机 加工破碎，颗粒多为球状颗粒，表面干洁，易于结合剂结合。
